신규 DRAM/FRAM 용 산화물 박막 개발
DRAM 소자는 혁신적인 기술 개발로 계속 미세화 되어 10nm 시대에 도달하였다. 이에 따라서 DRAM의 DATA를 저장하는 셀 커패시터(Cell capacitor)는 작게 만들어야 하는 물리적 한계를 갖지만 높은 정전용량과 낮은 누설전류 특성을 유지하도록 요구된다. 이를 충족시키기 위해서는 현재 양산 제품에 사용되는 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2)구조의 유전막은 한계점이 있다. 얇아진 ZrO2 층의 두께로는 결정화되기 어렵기 때문에 낮은 유전상수(k~25)를 나타낸다.
높은 유전율을 갖는 물질들이 새로운 대안으로 부각되지만 물리적인 두께와 복잡한 공정의 문제로 현재는 양산 공정에 적용되기에는 문제가 많다. 전기적 특성이 우수한 차세대 유전막 구조를 만들기 위해 high-k 유전체층에 차세대 Metal oxide materials 도입이 요구된다. 이를 위해 하모니는 HTS 장비와 인공지능 플렛폼을 사용하여 연구비용을 줄이고 성공 확률을 높일 수 있다. 현재까지 상용화가 되지 않고 있는 차세대 비휘발성 메모리 FRAM 산화물 박막도 연구한다.